文献类型：期刊文章

作　　者：霍萌[1] 符春林[1] 郭倩[1] 廖欢[1] 邓小玲[1] 张朝阳[2]

机构地区：[1]重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆401331 [2]中国工程物理研究院化工材料研究所,四川绵阳621900

出　　处：《功能材料》

基　　金：重庆市教委科学技术研究资助项目(KJ101415)

年　　份：2011

卷　　号：42

期　　号：5

起止页码：877-879

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20112514079084)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论(DFT)的赝势平面波法,对Zr掺杂BaTiO3(BTO)的电子结构进行了第一性原理研究。结果表明,纯四方相钛酸钡的禁带宽度为1.863eV;随着锆含量的增加,锆钛酸钡(BZT)的总态密度向高能量方向移动且禁带宽度逐渐增大,导电性能降低,介质损耗减小。

关 键 词：锆钛酸钡  第一性原理 能带  

分 类 号：TB34[材料类] TB321