文献类型：期刊文章

作　　者：曾冬[1] 符春林[1,2] 蔡苇[1] 郭倩[1] 谭平[1] 张朝阳[3]

机构地区：[1]重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆401331 [2]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 [3]中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621900

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(51102288);重庆市自然基金重点项目(CSTC2011BA4027);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金(KFJJ201104);重庆市教委科学技术研究项目(KJ121408)

年　　份：2013

卷　　号：42

期　　号：1

起止页码：166-171

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20131016078746)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了ZnS体系Ni掺杂前后的能带结构、态密度和光吸收系数曲线。结果表明:纯ZnS的能带结构是直接带隙,态密度显示属离子性较强而共价键较弱的混合键半导体材料。掺Ni的ZnS禁带宽度随掺杂量增加逐渐减小,能带简并度增大,且向低能方向移动;在价带顶出现杂质能级,说明是p型掺杂。纯ZnS在3.9 eV以下无吸收,红外透过率较高。掺Ni后吸收边红移,且在低能端(绿光区)出现新的吸收峰。

关 键 词：第一性原理 硫化锌 电子结构 光学性质 掺杂  

分 类 号：O649] O472[化学类]