登录    注册    忘记密码

唐蕾 收藏

导出分析报告

研究主题:半绝缘砷化镓单晶    半绝缘砷化镓    SI-GAAS    微缺陷    位错    

研究学科:电子信息类    

被引量:17H指数:4

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心