吕长志 研究员 中国电子学会高级会员。1974年毕业于北京工业大学无线电系半导体物理与器件专业并留校任教，1991年在北京工业大学在职研究生毕业。因本人在科研方面的突出成绩，于1998年获中华人民共和国国务院特殊津贴奖励。1996―2000年作为访问学者分别在美国伊利诺依大学（UIUC）和弗吉尼亚州立大学（VCU）从事氮化镓（GaN）基器件的研究，获得了当时世界领先的AlGaN/GaN MODFET(调制掺杂场效应晶体管)、GaN P-I-N 紫外光探测器科研成果，并发表了相应的论文。因本人在出国留学期间发表的高水平科研论文、在此期间取得的科研成果及所创造的经济效益，于2005年获第二届北京市留学人员创业奖。