天津理工大学电气电子工程学院薄膜电子与通信器件实验室

研究主题：磁电 CO掺杂化学气相沉积钴掺杂氢气

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被引量：1H指数：1EI: 1 北大核心: 1 CSCD: 1

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钴掺杂MoSe2共生长中氢气的作用分析及磁电特性研究 ( EI收录): 1; 《物理学报》天津理工大学电气电子工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室张宝军王芳沈稼强单欣邸希超胡凯张楷亮出版年：2020; 天津市自然科学基金(批准号:18JCZDJC30500,17JCYBJC16100,17JCZDJC31700);国家自然科学基金(批准号:61404091,61274113,61505144,51502203,51502204);国家重点研发计划(批准号:2017YFB0405600)资助的课题~~; 采用原位共生长化学气相沉积法,以Co3O4、MoO3、Se粉末为前驱物,710℃下在SiO2衬底上生长掺钴MoSe2纳米薄片,分析讨论氢气含量对其生长及调节机理的影响.表面形貌分析表明,氢气的引入促进了成核所需的氧硒金属...; 关键词：二维材料 MoSe2 CO掺杂化学气相沉积

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