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中华人民共和国机械电子部 收藏

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研究主题:抗辐射性    集成电路工艺    抗辐射加固    互补MOS集成电路    性能指标    

研究学科:电子信息类    电气类    自动化类    能源动力类    建筑类    

被引量:45H指数:3北大核心: 17 CSCD: 2

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