西安交通大学电子与信息工程学院固态照明工程研究中心

研究主题：残余应力 GAN 发光二极管激光剥离激光

研究学科：电子信息类

被引量：1H指数：1WOS: 1 EI: 1 北大核心: 1 CSCD: 1

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晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响 ( EI收录): 1; 《物理学报》西安交通大学电子与信息工程学院;西安交通大学电子与信息工程学院固态照明工程研究中心;陕西新光源科技有限责任公司王宏云峰刘硕黄亚平王越张维涵魏政鸿丁文李虞锋张烨郭茂峰出版年：2015; 国家高技术研究发展计划(批准号:2014AA032608)资助的课题~~; Ga N基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响.通过使用三种不同的键合衬底(Al2O3衬底,Cu W衬底和Si衬底)以及改变键合温度(290°C,320°C,350°C和380°C),并且使...; 关键词：残余应力垂直结构发光二极管晶圆键合激光剥离

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