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樊双莉 收藏

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研究主题：离子密度    氮化硅薄膜    氮化硅    磁场    成膜温度    

研究学科：电子信息类    

被引量：21H指数：2

详细介绍研究成果关系图谱计量评价荣誉奖励

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