文献类型：会议

作者单位：新疆大学物理科学与技术学院,材料物理研究中心,乌鲁木齐,830046

会议文献：第十八届全国半导体物理学术会议论文集

会议名称：第十八届全国半导体物理学术会议

会议日期： 2011年8月20日

会议地点： 呼和浩特

主办单位： 中国物理学会

语　　种：中文

摘　　要： 稀磁半导体(DILUTE MAGNETIC SEMICONDUCTORS,DMSS)迅速成为当今自旋电子学材料研究热点.Ⅲ-V族化合物氮化铝(AIN)作为宽带(6.20EV)半导体材料,它在紫外光发射、高温大功率光电器件等方面显示出了广阔的应用前景,成为光电研究领域的热门研究课题.目前国内外关于稀磁半导体的报道较少,无论从理论计算、实验制备还是结构分析和物性研究上都是值得深入研究的.AIN基稀磁半导体的研究方向主要集中在磁性过渡元素掺杂材料的制备和光电性质的表征上,相关的磁性表征及铁磁性的来源研究较少.

分 类 号： [材料类] ] TB3TM9