文献类型：会议

作者单位：兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所,兰州730000信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所,兰州730000信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

会议文献：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议论文集

会议名称：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议日期： 2011年11月1日

会议地点： 三亚

主办单位： 中国电子学会

语　　种：中文

摘　　要：硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究．以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CEH4)为源，利用RPCVD在125 MM<100>硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜．通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征，研究了RPCVD系统的负载对薄膜生长的影响，并对薄膜进行了掺杂处理．结果表明，1)SIGE薄膜中GE浓度随着HCL流量的增加而增加;2)薄膜生长速率和GE浓度随着锗烷流量的增大而增大;3)随着温度升高，薄膜生长速率显著提高，GE浓度减小;4)生长的20;硅锗薄膜内部晶格质量良好，没有产生明显缺陷，并且得到了均匀掺杂的外延薄膜。

关 键 词：薄膜  减压化学气相沉积  硅锗 负载影响  

分 类 号： ] ] TN3TG1