文献类型：会议

作者单位：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院,微纳测控与低维物理教育部重点实验室,北京,100191,北京市海淀区学院路37号中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033,吉林省长春市东南湖大路3888号

会议文献：2011全国光电子与量子电子学技术大会论文集

会议名称：2011全国光电子与量子电子学技术大会

会议日期：2011年3月18日

会议地点：北京

主办单位：中国电子学会

语　　种：中文

摘　　要：本文通过建立电阻和二极管复合网络模型，计算研究了含限流层的980NM大孔径底发射VCSEL激光器注入电流输运分布规律及其调控，以改进器件的横向增益分布和近场光学模式。计算结果表明，在大孔径器件的设计中，限流孔靠近激光有源区可以有效提高注入电流的利用率;减小P电极半径可以使注入电流分布向中央汇合，从而有利于获得近场光强分布更为均匀的低阶模或准基模输出;增加器件厚度也会有利于减小P电极半径边缘附近的电流峰值，使电流分布进一步向中心会聚，有利于形成近高斯的分布形式。

关 键 词：VCSEL 注入电流分布  注入电流效率  

分 类 号：TN2] ] TN9