文献类型：期刊文章

作　　者：蔡嫦芳[1] 吴锋民[1] 方允樟[1] 杜元宝[1] 韩聪[1] 孟庆哲[1]

机构地区：[1]浙江师范大学LED芯片研发中心,金华

出　　处：《纳米技术》

基　　金：国家自然科学基金(61274099);浙江省创新团队(2011R50012)。

年　　份：2013

卷　　号：3

期　　号：2

起止页码：19-23

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：MoS2纳米花以MoO3和Na2S为前驱体,在230℃下采用水热法反应6 h合成。MoO3为反应提供钼源,Na2S为反应提供硫源,同时还作为反应中的还原剂。产物通过XRD和SEM、Raman光谱表征其特性。MoS2纳米花是由几十到上百个花瓣组织构成的,平均花径约为200~300 nm,边缘厚度约为5~10 nm的薄片花瓣从一个中心向各个方向放射性生长。对比反应温度和盐酸的浓度的对合成MoS2纳米花的影响,结果表明其最佳实验条件为:反应温度为230℃,盐酸浓度为0.4 mol/L,反应时间为6 h。实验结果表明,采用此方法合成MoS2纳米花晶相纯,没有杂质且反应时间短,实验条件要求低。同时还探究了实验可能的反应原理。

关 键 词：MoS2纳米花  水热法 晶相 形貌

分 类 号：TB3[材料类]