期刊文章详细信息
硒化铟场效应晶体管的制备及其气敏性能研究
Preparation and Gas Sensitivity of Indium Selenide Field Effect Transistor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]哈尔滨师范大学物理与电子工程学院光电带隙材料教育部重点实验室,黑龙江 哈尔滨
年 份：2024
卷 号：14
期 号：1
起止页码：25-30
语 种：中文
收录情况：RCCSE、普通刊
摘 要：通过化学气象沉积(CVD)的方法合成了块状硒化铟(InSe)晶体,后对制得的块状InSe进行了系列表征,并通过机械剥离的方法得到了二维(2D) InSe纳米片。同时构建了场效应晶体管(FET),考察了InSe纳米片的电学性能,并测试了器件对二氧化氮(NO2)的气敏性能。实验表明,所搭建的InSe场效应晶体管具有良好的电学性能,并在室温下对NO2具有良好的响应。
关 键 词：化学气象沉积 硒化铟 场效应晶体管 二氧化氮
分 类 号：TN3]
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