文献类型：会议

作　　者：付秋平 刘小凤 徐前瑞 赵中胜 胡晓琳 庄乃锋 陈建中

作者单位：福州大学化学学院光功能晶态材料研究所

会议文献：中国化学会第29届学术年会摘要集——第13分会：晶体工程

会议名称：中国化学会第29届学术年会

会议日期：20140804

会议地点：中国北京

主办单位：中国化学会

出版单位：中国化学会

出版日期：20140804

学会名称：中国化学会

语　　种：中文

摘　　要：磁光薄膜在集成光通讯器件方面有着很好的应用前景[1]。随着光通讯技术的不断发展,对薄膜性能和质量也不断提出新的要求。CLNGG具有与Ce:YIG更为匹配的晶格常数,用其作为衬底材料有望获得更高质量和性能的Ce:YIG薄膜。本文采用Czochralski方法生长了CLNGG(Ca2.899Li0.304Nb1.926Ga2.757O12)和Li5La3Nb2O12掺杂的CLNGG(Ca2.382La0.568Li0.72Nb2.005Ga2.26 2O12,LCLNGG)单晶,并采用Rietveld方法对它们的结构进行精修,探讨了Li+、La3+和Nb5+离子的掺入对其结构的影响。为了优化晶体生长工艺,本文通过对不同生长条件下得到的CLNGG和LCLNGG晶体的质量进行对比分析。另外,对退火工艺引起晶体颜色变化的原因进行了分析。分别采用紫外-可见分光光度计和热膨胀分析仪测试晶片的透过光谱和热膨胀系数,发现其透过率高达80%以上,且CLNGG和LCLNGG晶体的热膨胀系数分别为(5.83×10-6 K-1)和(5.62×10-6 K-1),与YIG的热膨胀系数[2]接近,这些结果表明CLNGG和LCLNGG晶体是生长掺Ce铁石榴石晶体薄膜的很好的候选衬底材料。

关 键 词：晶体生长 磁光薄膜 Czochralski方法  衬底材料

分 类 号：O78]