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P3HT:PCBM光响应与石墨烯纳米电极沟道长度依赖关系
文献类型：会议
作者单位：北京大学纳米化学研究中心,化学与分子工程学院 北京大学前沿交叉学科研究院纳米科学与技术研究中心
会议文献：中国化学会第29届学术年会摘要集——第17分会：光电功能器件
会议名称：中国化学会第29届学术年会
会议日期：20140804
会议地点：中国北京
主办单位：中国化学会
出版日期：20140804
学会名称：中国化学会
语 种：中文
摘 要：导电高分子与富勒烯衍生物的混合物是重要的光响应物质,被广泛应用于太阳能电池和光检测器件研究领域。[1]我们课题组以及其他一些课题组的前期工作已证明,当光检测器件的尺寸降低至纳米尺度后,其光响应性质将大幅优化。[2]然而,光响应性能与电极沟道长度之间的依赖关系却还鲜有报道。在这篇工作中,我们系统而深入地研究了P3HT:PCBM光检测器性能与石墨烯电极沟道长度之间的依赖关系。
关 键 词：P3HT:PCBM 光响应-沟道依赖关系 石墨烯纳米电极
分 类 号：TM914.4]
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