文献类型：会议

作　　者：吴学科 黄伟其

作者单位：贵州大学物理学院纳米光子物理研究所

基　　金：国家自然科学基金(11264007,61465003)

会议文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集

会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议日期：20170525

会议地点：中国福建厦门

主办单位：厦门大学物理科学与技术学院;浙江大学硅材料国家重点实验室

出版日期：20170525

学会名称：厦门大学物理科学与技术学院

语　　种：中文

摘　　要：<正>近年来,在研究硅和锗的发光特性时发现,低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光,同时出现了大量关于硅锗低维纳米结构能带转换的理论研究。本文采用第一性原理,对硅和锗的一维纳米线、二维纳米薄膜进行系统的计算,展现硅和锗低维纳米结构的能带变化规律及其原因。通过计算发现,硅锗低维纳米结构的能带结构转换主要与硅(100)晶向和锗(111)晶向受限有关,而与硅(111)晶向和锗(110)晶向受

关 键 词：第一性原理 量子限制效应 直接带隙  

分 类 号：O471.5[物理学类]