文献类型：会议

作　　者：谢灯 丘志仁 万玲玉 Chin-CheTin 梅霆 冯哲川

作者单位：华南师范大学光电子材料与技术研究所 中山大学光电材料与技术国家重点实验室物理科学与工程技术学院 广西大学物理科学与工程技术学院广西相对论天体物理重点实验室光电子材料与探测技术实验室 Department of Mechanical Engineering University of Malaya Department of Physics Auburn University 西北工业大学理学院教育部空间应用物理与化学重点实验室陕西省光信息技术重点实验室

会议文献：第十八届全国光散射学术会议摘要文集

会议名称：第十八届全国光散射学术会议

会议日期：20151022

会议地点：中国四川成都

主办单位：中国物理学会光散射专业委员会

出版日期：20151022

学会名称：中国物理学会光散射专业委员会

语　　种：中文

摘　　要：<正>Wide band gap semiconductor films,including silicon carbide(Si C),gallium nitride(Ga N),zinc oxide(Zn O)and their compounds and isomers,posess a band gap larger than 3.2 e V,and the characteristic

关 键 词：宽禁带半导体薄膜  椭圆偏振光谱 特性表征  傅里叶红外光谱

分 类 号：TB383.2[材料类]