文献类型：会议

作　　者：吴学科 黄伟其 董泰阁 王刚 刘世荣 秦朝介

作者单位：贵州大学理学院纳米光子物理研究所

会议文献：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文摘要集

会议名称：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议日期：20160616

会议地点：中国江苏南京

主办单位：南京大学电子科学与工程学院;南京大学固体微结构物理国家重点实验室;浙江大学硅材料国家重点实验室

出版日期：20160616

学会名称：南京大学电子科学与工程学院

语　　种：中文

摘　　要：<正>近年来,在研究硅和锗的发光特性时发现,低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光,考虑到大量的实验制备通常形成的是纳米薄膜,本文以硅和锗的纳米薄膜为研究对象,通过第一性原理计算和实验表征两方面展现硅锗薄膜的能带结构及发光特征。通过计算发现,硅锗(100)、(110)和(111)三个面薄膜的能隙随薄膜厚度的变化都遵循量子限制效应,硅(111)晶面和锗(110)晶面薄膜为完全间接带隙结构

关 键 词：能带结构  纳米硅

分 类 号：O484.4[物理学类]