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会议论文详细信息

与硅工艺完全兼容的氧化铪基铁电薄膜的电畴演变规律       

文献类型:会议

作  者:周益春; 蒋丽梅; 杨琼; 张溢; 姜杰; 徐肖飞;

作者单位:薄膜材料及器件湖南省重点实验室 湘潭大学材料科学与工程学院装备用关键薄膜材料及应用湖南省国防科技重点实验室;

会议文献:第十四届全国物理力学学术会议缩编文集

会议名称:第十四届全国物理力学学术会议

会议日期:2016-09-27

会议地点:中国四川绵阳

主办单位:中国力学学会物理力学专业委员会

出版日期:20160927

学会名称:中国力学学会

语  种:中文

摘  要:集成电路产业是信息技术产业的核心,是支撑我国经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。存储器在集成电路产品构成中占据着至关重要的地位,发展自主可控的存储器产业是我国发展集成电路产业最重要也最可行的产业方向。新型存储技术是全球存储技术发展的最终方向,铁电存储器作为当前应用范围最广的新型存储器之一,具有抗辐照、非挥发、高读写速度、抗疲劳性能突出、低功耗几大核心优势,在军用和民用领域都得到

关 键 词:氧化铪基铁电薄膜  铁电存储器 脉冲激光沉积 压电力显微镜  相场理论  

分 类 号:TP333[计算机类] TB383.2[材料类]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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