文献类型：会议

作　　者：牛金海 刘东平 张志慧 于乃森 冯志庆

作者单位：大连民族学院光电子技术研究所 大连铁路卫校

基　　金：国家青年科学基金(Grant No.10803007);国家自然科学基金(Grant No.10875025);大连民族学院人才引进基金(20076205)资助

会议文献：第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集

会议名称：第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会

会议日期：20090720

会议地点：中国辽宁大连

主办单位：中国力学学会等离子体科学与技术专业委员会、中国物理学会等离子体物理分会、中国核学会核聚变与等离子体物理学会

出版日期：20090720

学会名称：中国力学学会

语　　种：中文

摘　　要：采用介质阻挡放电等离子体增强的化学气相沉积法,以乙腈为前驱物,成功制备出CN薄膜。采用傅里叶变换红外光谱法(FTIR,Nicolet Auatar 370 DTGS)对在Si片表面上所制备的CN薄膜的化学键结构进行了分析;采用扫描探针显微镜(AFM,Dimensions3100)对薄膜表面形貌及硬度进行了检测;对薄膜表面组成采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM,S-4800)能谱法(EDX)进行了检测;通过台阶仪(SurfcorderET4000m)对薄膜的厚度进行了分析。系统考察了等离子体参数如放电气压,放电频率,放电电压等对薄膜沉积的影响。FTIR分析结果表明,薄膜中主要含有CH_(x(x=1-3)),CN,NH等结构,AFM分析表明随放电气压,放电频率的增大,表面粗糙度明显增大;采用AFM压痕分析发现,薄膜的硬度受放电电压和频率影响很大,在放电频率为1和3kHz时在100 Pa时出现峰值,其中1kHz时最大硬度为6GPa,而在其他条件下,均在1-3GPa范围。而在5kHz时在较低气压下薄膜的硬度比高气压明显增大。但最大值也只有2.7 GPa。采用SEM对薄膜的横断面形貌进行了分析,发现薄膜的厚度大约在1-3μm,而且薄膜与Si基底之间接触良好。采用能谱法对薄膜表面的组成进行了分析,在100Pa,1kHz时薄膜表面层的含氮量为15%,薄膜中C∶N比为5∶1。采用发射光谱(OES)法对于DBD-PECVD沉积CN薄膜过程的活性物种进行了诊断,发现在乙腈等离子体中在300-420 nm具有较强的发射谱线,其中在388 nm处出现峰值为CN(B-X)的振动跃迁,可能是薄膜沉积的主要活性物种。

关 键 词：介质阻挡放电 CN薄膜  乙腈  FTIR AFM

分 类 号：O484.1[物理学类]