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期刊文章详细信息

ZnO薄膜的分子束外延生长及性能  ( EI收录)  

MBE Preparation and Characterization of ZnO Thin Film

  

文献类型:期刊文章

作  者:周映雪[1,2] 俞根才[1,2] 吴志浩[3] 张新夷[1,2,4]

机构地区:[1]复旦大学物理系 [2]应用表面物理国家重点实验室 [3]复旦大学同步辐射研究中心 [4]复旦大学同步辐射研究中心,上海200433

出  处:《发光学报》

基  金:国家重点基础研究专项 (G2 0 0 1cb3 0 95 0 5 )资助项目

年  份:2004

卷  号:25

期  号:3

起止页码:287-290

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:利用分子束外延 (MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(1 0 0 )、GaAs(1 0 0 )和蓝宝石Al2 O3(0 0 0 1 )衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn O化学计量比作缓冲层 ,改变衬底生长温度和氧压 ,并在氧气氛下 ,进行原位退火处理 ,得到ZnO薄膜。依据X射线衍射 (XRD)图 ,表明样品的结晶性能尚好 ,且呈c轴择优取向 ;实验结果表明在不同衬底上生长的ZnO薄膜 ,由于晶格失配度不同 ,其衍射峰也有区别。用原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌 ,为晶粒尺寸约几十纳米的ZnO纳米晶 ,且ZnO晶粒呈六边形柱状垂直于衬底的表面。采用掠入射X射线反射率法测膜厚。在 36 0nm激发下 ,样品的发光光谱是峰值为 4 1 0 ,5 1 0nm的双峰谱 。

关 键 词:氧化锌 分子束外延 X射线衍射 纳米晶 发光  

分 类 号:O472.3]

参考文献:

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同被引文献:

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