期刊文章详细信息
一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源
A Low-Power High PSRR CMOS Bandgap Voltage Reference
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]东南大学微电子中心,江苏南京210096
年 份：2004
卷 号：34
期 号：3
起止页码：330-333
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要： 文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路,该电路采用工作在亚阈值区的电路结构,并采用高增益反馈回路,使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。
关 键 词：CMOS 带隙基准电压源 亚阈值 低功耗 低电压 电源抑制比
分 类 号：TN432.1]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
