文献类型：期刊文章

作　　者：潘梦霄[1] 曹兴忠[1] 李养贤[2] 王宝义[1] 薛德胜[3] 马创新[1] 周春兰[1] 魏龙[1]

机构地区：[1]中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京100039 [2]河北工业大学材料科学与工程学院,天津300130 [3]兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州730000

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :1992 70 0 1)资助的课题~~

年　　份：2004

卷　　号：53

期　　号：6

起止页码：1956-1960

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004398378968)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000221946200063)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用直流磁控反应溅射在Si(1 0 0 )衬底上溅射得到 (0 0 1 )取向的V2 O5薄膜 .x射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和傅里叶变换红外光谱 (FTIR)的结果表明 ,氧分压影响薄膜的成分和生长取向 ,在氧分压 0 4Pa时溅射得到 (0 0 1 )取向的纳米V2 O5薄膜 ,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜 .V2 O5薄膜经过真空退火得到 (0 0 1 )取向的VO2 薄膜 ,晶体颗粒长大 .对薄膜的分子结构和退火过程的晶格转换进行了分析 。

关 键 词：氧化钒薄膜 微观结构 择优取向  直流磁控溅射 傅里叶变换红外光谱分析  

分 类 号：O484]