文献类型：期刊文章

作　　者：王晓泉[1] 汪雷[1] 席珍强[1] 徐进[1] 崔灿[1] 杨德仁[1]

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：国家自然科学基金项目(59976035);国家自然科学基金重大项目(50032010)

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：3

起止页码：341-344

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004448438604)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌,使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后,考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性,并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。

关 键 词：太阳电池 PECVD 氮化硅

分 类 号：TK511.4]