期刊文章详细信息
光电流瞬态谱中半绝缘砷化镓的EL2峰的研究 ( EI收录)
Study of EL2 Peak in LEC SI-GaAs by PICTS
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]复旦大学李政道物理学综合实验室,上海200433
出 处：《Journal of Semiconductors》
基 金：国家自然科学基金
年 份：1993
卷 号：14
期 号：11
起止页码：659-663
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文用加栅的光电流瞬态谱(PICTS)方法研究了半绝缘砷化镓材料中的深能级缺陷,发现加栅后可使PICTS对EL2等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏,并分析了其中原因,认为材料中费米能级位置对PICTS结果有影响。
关 键 词：砷化镓 光电流 瞬态谱
分 类 号：TN304.23]
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