期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]南京大学物理系,南京210008 [2]南京大学固体微结构实验室,南京210008
基 金:国家自然科学基金
年 份:1992
卷 号:23
期 号:9
起止页码:995-1001
语 种:中文
收录情况:CSCD、CSCD2011_2012、ZMATH、普通刊
摘 要:使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性.
关 键 词:纳米硅 非晶硅 微晶硅 薄膜 硅
分 类 号:O484.1]
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