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期刊文章详细信息

纳米硅薄膜的研制    

  

文献类型:期刊文章

作  者:何宇亮[1] 刘湘娜[1] 王志超[1] 程光煦[2] 王路春[2] 余是东[2]

机构地区:[1]南京大学物理系,南京210008 [2]南京大学固体微结构实验室,南京210008

出  处:《中国科学(A辑)》

基  金:国家自然科学基金

年  份:1992

卷  号:23

期  号:9

起止页码:995-1001

语  种:中文

收录情况:CSCD、CSCD2011_2012、ZMATH、普通刊

摘  要:使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性.

关 键 词:纳米硅 非晶硅 微晶硅 薄膜  

分 类 号:O484.1]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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