文献类型：期刊文章

作　　者：朱樟明[1] 杨银堂[1] 刘帘曦[1] 朱磊[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(批准号 :2 0 0 2 AA1Z12 10)~~

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：5

起止页码：542-546

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2004478470120)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm.

关 键 词：CMOS 带隙电压基准源 二次分压  温度补偿

分 类 号：TN402]