文献类型：期刊文章

作　　者：胡经国[1]

机构地区：[1]扬州大学物理科学与技术学院计算物理研究所,江苏扬州225002

出　　处：《计算物理》

基　　金：SupportedbytheNaturalScienceFoundationofJiangsuEducation (No.JD14 0 0 0 8and 0 3KJB14 0 15 3 )

年　　份：2004

卷　　号：21

期　　号：2

起止页码：166-172

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004368333475)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：讨论了铁磁 反铁磁双层膜中交换偏置和矫顽场随温度变化的关系。在本模型中 ,温度的依赖性来源于系统态的热激发以及相关磁学参量的温度依赖性。数值结果显示 :低温下 ,交换偏置和矫顽场随温度的升高而减少 ,但是随着界面的交换耦合的增强或铁磁层各向异性的减少 ,其交换偏置变得平坦。随着温度的升高 ,交换偏置减少直至零 ;而矫顽场却达到峰值后再减为零。这些结果与实验结果定性一致。根据数值计算结果 ,可以预见软的铁磁层耦合上硬的反铁磁层 ,在恰当的交换耦合强度下 ,可构建具有大的交换偏置、小矫顽场 ;

关 键 词：交换偏置 矫顽场 铁磁/反铁磁双层膜  正则对数分布  温度依赖性

分 类 号：O441.2]