期刊文章详细信息
SiO_2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO_2基压敏陶瓷电性能的影响
Influence of SiO_2 on electrical properties of (Sr,Bi,Si,Ta)-added TiO_2-based varistor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]安徽大学物理与材料科学学院,安徽合肥230039 [2]茂名学院技术物理系,广东茂名525300 [3]广州大学固体物理与材料研究实验室,广东广州510405
年 份：2004
卷 号：28
期 号：3
起止页码：33-37
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、普通刊
摘 要：研究SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响,发现按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3)+0.075%Ta2O5+0.3%SiO2配制的样品具有最低的压敏电压、最大的相对介电常数及最小的晶粒电阻。
关 键 词：二氧化硅基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 晶粒电阻 半导化 压敏电阻器
分 类 号：TN304.82] TN379
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