登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

用电子显微镜剖析存储器器件    

Application of electron microscopy in analyzing memory device

  

文献类型:期刊文章

作  者:刘剑霜[1] 谢锋[1] 陈一[1] 胡刚[1]

机构地区:[1]复旦大学材料科学系国家微分析中心,上海200433

出  处:《半导体技术》

年  份:2004

卷  号:29

期  号:5

起止页码:68-71

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:简要介绍了扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)两种当前主要的电子显微分析工具在存储器器件分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用范围以及测量精度,指出两者的有机结合可以得到比较全面的分析结果。

关 键 词:电子显微镜 存储器 透射电镜 栅氧化层 集成电路 IC微结构  

分 类 号:TP333]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心