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期刊文章详细信息

IGCT及IGCT变频器    

  

文献类型:期刊文章

作  者:李洪剑[1] 王志强[1] 余世科[1]

机构地区:[1]705研究所昆明分部,云南昆明650118

出  处:《半导体技术》

年  份:2004

卷  号:29

期  号:5

起止页码:89-92

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:IGCT是一种在大功率开关器件GTO基础上改进而成的新型电力电子器件。和GTO相比,IGCT的关断时间降低了30%,功耗降低40%。它是一种不需要吸收电路的开关器件,可以像晶闸管一样导通,像IGBT一样关断,并且具有很低的功率损耗。IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一根光纤上就可以控制它的开通和关断。由于IGCT设计理想,使得IGCT的开通损耗可以忽略不计,再加上它的低导通损耗,使得它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行。IGCT可望迅速取代GTO,成为高压变频器的首选器件。

关 键 词:IGCT 变频器 开关器件 功率损耗 集成门极换流晶闸管

分 类 号:TM564] TN32]

参考文献:

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同被引文献:

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