文献类型：期刊文章

作　　者：杨莺[1] 陈治明[1] 赵高扬[2]

机构地区：[1]西安理工大学电子工程系,西安710048 [2]西安理工大学材料物理与化学系,西安710048

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 1770 2 7;5 0 0 72 0 18)~~

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：4

起止页码：404-409

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2004468459467)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用溶胶 -凝胶提拉技术在低阻硅衬底上以钛酸铅 (PT)作缓冲层 ,成功地制备了锆钛酸铅 (PZT)高介电常数介质膜 ,其锆钛组分比为 4 5∶ 5 5 .研究了薄膜结晶状态与制备条件的关系及相应的介电、铁电特性 .结果表明 ,用这种方法制备的 PZT薄膜在 80 0℃退火 1 5 m in晶化已相当完善 ,以 (1 1 0 )为择优取向 ;这些样品的结晶尺度根据衍射峰的半高宽估计为 1 4～ 2 5 nm左右 ;采用 Sawyer- Tower电路和 L CR电桥测试法获得的结果表明 ,经过 80 0℃退火1 5 min的 PZT样品 ,其剩余极化强度为 4 7.7μC/ cm2 ,矫顽场强为 1 8k V/ cm,介电常数为 1 5 8,损耗因子为 0 .0 4～0 .0 5

关 键 词：溶胶-凝胶 锆钛酸铅 钙钛矿相 电滞回线

分 类 号：TN304.05]