文献类型：期刊文章

作　　者：姚素薇[1] 赵瑾[1] 张卫国[1] 董大为[1]

机构地区：[1]天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津300072

出　　处：《磁流体发电情报》

基　　金：国家自然科学基金 (No 5 0 0 710 3 9;5 0 2 710 46);教育部;天津大学;南开大学联合研究院资助项目~

年　　份：2004

卷　　号：55

期　　号：3

起止页码：414-417

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、EI(收录号：2004278252477)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：采用双脉冲控电位技术在单晶硅上沉积了一系列Cu/Co纳米多层膜 ,调制波长从 2 0 0nm到 5nm不等 .用扫描电镜及X射线衍射对多层膜的调制结构进行了表征 .采用四探针法测试多层膜的巨磁电阻 (GMR)效应 ,研究了GMR与调制波长 (λ)、铜的子层厚度 (δCu)的关系 :λ较大时 ,没有观察到明显的GMR效应 ;λ <30nm时 ,GMR效应随λ减小而增大 ;而λ <8nm时 。

关 键 词：单晶硅 电沉积 Cu/Co纳米多层膜  巨磁电阻 电阻效应  四探针法  纳米材料

分 类 号：TB383[材料类]