期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]中电科技德清华莹电子有限公司,德清313216 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050
年 份:2004
卷 号:26
期 号:2
起止页码:126-128
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2000、CSA、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:采用化学还原工艺,在CO2与H2混合气氛下对LN和LT晶片分别进行700°C和450°C退火处理,成功地制备了LN和LT黑色晶片。静电位差、光透过率测量结果表明,还原处理后LN和LT晶片的热释电现象基本消失,其光透过率也显著降低。居里温度测试表明,还原处理对晶体的居里温度没有影响。
关 键 词:铌酸锂 钽酸锂 热释电效应 晶片
分 类 号:TN2]
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