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期刊文章详细信息

低噪声、低功耗CMOS电荷泵锁相环设计    

Design of Low-noise、Low-power Consumption CMOS CPPLL

  

文献类型:期刊文章

作  者:王洪魁[1] 袁小云[1] 张瑞智[1]

机构地区:[1]西安交通大学微电子研究所,西安710049

出  处:《固体电子学研究与进展》

年  份:2004

卷  号:24

期  号:1

起止页码:81-85

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:设计了一种 1 .8V、0 .1 8μm工艺的低噪声低功耗锁相环电路 ,其采用 CSA(Current Steer Amplifier)架构的压控振荡器 (VCO)。整个电路功耗低 ,芯片面积为 1 60 μm× 1 2 0 μm,对电源和衬底噪声抑制能力强。经过Spice模拟表明 ,在有电源噪声的情况下 ,输出 5 0 0 MHz时钟时周对周抖动小于 41 ps,功耗为 2 .8m W。

关 键 词:低噪声 低功耗 CMOS  电荷泵 锁相环 压控振荡器

分 类 号:TN911.8]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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