文献类型：期刊文章

作　　者：孔祥东[1] 张玉林[1] 魏守水[1]

机构地区：[1]山东大学控制学院电子束研究所,济南250061

出　　处：《微细加工技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90307003);山东省高科技发展基金资助项目(022090105)

年　　份：2004

期　　号：1

起止页码：18-22

语　　种：中文

收录情况：SCOPUS、普通刊

摘　　要：提出了基于电子束的LIGA(Lithographie,Galvanoformung,Abformung)技术新概念。根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀深度的影响进行了理论分析,并在SDS-2电子束曝光机上分别采用5keV、10keV、15keV、20keV、25keV、30keV等能量的电子束对国产胶苏州2号进行了曝光实验,得出了能量/刻蚀深度关系曲线。用5keV、30keV两种能量的电子束,通过改变曝光时间进行了曝光剂量对刻蚀深度的影响实验,得出了曝光剂量-刻蚀深度关系曲线。实验结果表明,增大电子束能量或增强曝光剂量,就可以增大刻蚀深度,证明了基于电子束光刻的LIGA技术不但是可行的,而且更易于加工各种带曲率的微器件。

关 键 词：电子束光刻 LIGA技术 刻蚀深度 曝光剂量  半导体

分 类 号：TN305.7]