文献类型：期刊文章

作　　者：陈泽琴[1] 谢洪平[2] 王平[1] 陈雪兰[3] 王昌明[3] 陈泽琴[1] 谢洪平[2] 王平[1] 陈雪兰[3] 王昌明[3]

机构地区：[1]西华师范大学化学系，四川南充637002 [2]苏州大学药学系，苏州215007 [3]白塔中学，四川南充637100

出　　处：《西华师范大学学报（自然科学版）》

基　　金：重庆市科学技术基金资助课题(1998 26)

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：1

起止页码：40-43

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：用轨线法对C(3Pg)+SiO(X1Σ+,v=0、1,j=0)→SiC(X1Σ+)+O(3Pg)反应进行了计算,研究了两种状态下产物SiC的散射分布和微观反应机理.随初始相对碰撞平动能Et增加,产物SiC向前散射减弱,向后散射增强.对振动基态SiO(X1Σ+,v=0,j=0),Et≤4.6024×103kJ·mol-1,产物以向前散射为主;Et>4.6024×103kJ·mol-1,产物以向后散射为主.对振动激发态SiO(X1Σ+,v=1,j=0),Et≤4.1840×103kJ·mol-1,产物以向前散射为主;Et>4.1840×103kJ·mol-1,产物以向后散射为主.

关 键 词：合成反应  散射分布  碳化硅 轨线法  陶瓷材料 超硬材料

分 类 号：TB332[材料类] O611.4]