文献类型：期刊文章

作　　者：陈宇[1] 范垂祯[1]

机构地区：[1]航空航夫部兰州物理研究所

出　　处：《质谱学报》

年　　份：1992

卷　　号：13

期　　号：1

起止页码：14-22

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：本文分析了弧坑效应和离子轰击混合效应对SIMS深度剖析的影响,认为在采用一次离子束扫描、弧坑效应可忽略的情况下,离子轰击混合效应是影响SIMS深度分辩的重要原因。在分析了注入剂量法的主要误差来源后,结合实验发现了注入剂量法结果随溅射时间的变化规律,由此提出了设定精度、逐点逼近的方法。同时,考虑到溅射深度测量上的困难,采用了LSS理论平均射程值,使得计算更为简捷,并可与SIMS深度剖析同步进行。将该方法用于注N的GCr15轴承钢和注Zn的砷化镓样品取得了较好的结果,与AES和LSS理论分析结果相符,且具有较高的精度。由此方法还可得到稳定的、具有普遍意义的注入元素在基体中的二次离子相对灵敏度因子。

关 键 词：离子注入 SIMS 定量分析  质谱

分 类 号：O657.6]