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GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究 ( EI收录)
Study of Negative Capacitance Effect of GaN Blue LEDs
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]天津大学应用物理学系,天津300072
基 金：国家自然科学基金资助项目(60376027)
年 份：2004
卷 号：15
期 号：4
起止页码：402-405
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004308283034)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊
摘 要：利用交流(a.c.)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容 电压特性进行了研究,观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象,并且测试频率越低、正向电压越大,这种负电容现象就越明显。研究结果表明,这一现象产生的最主要原因是由于GaN蓝光LEDs有源区内注入载流子的辐射复合。
关 键 词：GAN 氮化镓 蓝光发光二极管 负电容 电容-电压特性 LED 辐射复合
分 类 号：TN312.8]
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