文献类型：期刊文章

作　　者：徐岳生[1] 唐蕾[1] 王海云[1] 刘彩池[1] 郝景臣[2]

机构地区：[1]河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津300130 [2]中国信息产业部1413所,石家庄050051

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :5 9972 0 0 7);中国人民解放军总装备部 (批准号 :0 0J5 0 2;2 .1.QT45 0 1);科技部攀登计划 (批准号 :2 0 0 0J5 0 4);河北省自然科学基金 (批准号 :5 990 3 3 )资助的课题~~

年　　份：2004

卷　　号：53

期　　号：2

起止页码：651-655

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004198157081)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000189048100060)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：通过x射线异常透射形貌 (XRT) ,化学腐蚀显微观察和电子显微技术 (TEM)研究了液封直拉 (LEC)法生长的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中蜂窝状胞状结构 ,从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑 ,分析了该结构的形成机理与过程 .认为这是由高密度位错 (EPD)

关 键 词：胞状结构  小角度晶界 电子显微技术 砷化镓晶体 半导体材料  X射线衍射分析 液封直拉法  半绝缘砷化镓 位错  

分 类 号：O721]