文献类型：期刊文章

作　　者：陈一匡[1] 林揆训[1] 罗志[1] 梁锐生[1] 周甫方[1]

机构地区：[1]汕头大学物理系,汕头515063

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 8)资助的课题~~

年　　份：2004

卷　　号：53

期　　号：2

起止页码：582-586

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004198157069)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000189048100047)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间 ,是制备多晶硅薄膜的一种重要方法 .在此基础上 ,通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散 ,实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化 .实验结果表明 ,外加电场 ,退火温度为 4 0 0℃ ,退火时间为 6 0min时 ,薄膜的晶化率大于 6 0 % ;退火温度为 4 5 0℃退火时间为30min时 ,薄膜已经呈现明显的晶化现象 ;退火温度为 5 0 0℃退火时间为 15min时 ,薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的 3—

关 键 词：非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 铝诱导  晶体结构 退火温度 退火时间 外加电场

分 类 号：O484.4]