文献类型：期刊文章

作　　者：黄元盛[1] 罗承萍[2] 邱万奇[2]

机构地区：[1]韶关学院机电工程系,广东韶关512005 [2]华南理工大学机械工程学院,广东广州510640

出　　处：《中国表面工程》

基　　金：国家教委博士点基金资助项目(No.1999056121);广东省自然科学基金资助项目(No.990548)

年　　份：2004

卷　　号：17

期　　号：1

起止页码：5-9

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：化学气相沉积(CVD)金刚石的主要晶体缺陷为孪晶、层错和位错。杂质主要有非晶碳、石墨和氢等。文中对上述晶体缺陷及杂质的研究进行了回顾:这些缺陷和杂质可以存在于晶内或者晶界;缺陷密度、杂质含量与化学气相沉积的沉积条件有很大关系;一般缺陷密度和杂质含量随甲烷浓度的增加而增加;杂质的存在也直接影响金刚石晶体缺陷的形成;并对CVD金刚石的五次孪晶的研究作了总结。这对以后CVD金刚石的晶体学研究具有较大的指导意义。

关 键 词：金刚石 晶体缺陷 杂质  

分 类 号：O483] O77[物理学类]