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期刊文章详细信息

钼(或铬,钒)原子替位掺杂对双相γ-TiAl/α_2-Ti_3Al界面的能量、延性和电子性质的影响  ( EI收录)  

Effect of Mo(or Cr, V) substitution doping on energy,ductility and electronic properties of dual-phase γ-TiAl/α_2-Ti_3Al interface

  

文献类型:期刊文章

作  者:宋庆功[1,2] 顾威风[1] 甄丹丹[2] 郭艳蕊[1] 胡雪兰[2]

SONG Qing-gong;GU Wei-feng;ZHEN Dan-dan;GUO Yan-rui;HU Xue-lan(Institute of Low Dimensional Materials and Technology,College of Science,Civil Aviation University of China,Tianjin 300300,China;Sino-European Institute of Aviation Engineering,Civil Aviation University of China,Tianjin 300300,China)

机构地区:[1]中国民航大学理学院低维材料与技术研究所,天津300300 [2]中国民航大学中欧航空工程师学院,天津300300

出  处:《中国有色金属学报》

基  金:国家自然科学基金资助项目(51201181);中央高校基本科研业务费专项资助项目(3122016L012)~~

年  份:2019

卷  号:29

期  号:2

起止页码:370-379

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用基于密度泛函理论计算研究了钼(或铬,钒)原子替位掺杂双相γ-TiAl/α_2-Ti_3Al界面体系的平均形成能、断裂功、电子结构等。结果显示:各个掺杂体系的总能量和平均形成能均为负值,表明它们可以由实验制备并能稳定存在。对代表性体系的断裂功和态密度分析表明,体系Mo-S_(a5) (或Cr-S_(a5))的结合强度减弱,同时体系Mo-S_(a5)的Mo-d和Ti-d电子态密度增加、相互作用增强,而Ti-d和Al-p轨道杂化键强度降低,位错运动的阻力减少,有利于改善Ti Al合金材料的延性。对杂质原子所在(001)面电荷密度和布居数的分析发现,Mo(或V)的掺入会引起电子云在杂质原子周围的聚集效应,形成结合强度稍高的区域,该区域与周围其他区域结合的各向异性程度下降。这正是此类TiAl合金延性改善的内因。

关 键 词:双相γ-TiAl/α2-Ti3Al界面  能量性质  延性 电子性质 第一性原理

分 类 号:TG146.23[材料类]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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