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期刊文章详细信息

掺杂对ZnO半导体薄膜光学性能的影响    

Effect of Doping on Optical Properties of Zinc Oxide Semiconductor Thin Films

  

文献类型:期刊文章

作  者:钟志有[1] 康淮[1] 陆轴[1] 龙浩[1] 王皓宁[1]

机构地区:[1]中南民族大学电子信息工程学院智能无线通信湖北省重点实验室,武汉430074

出  处:《中南民族大学学报(自然科学版)》

基  金:国家自然科学基金资助项目(11504436;11704418);湖北省自然科学基金资助项目(2015CFB364);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZP17002;CZW14019)

年  份:2017

卷  号:36

期  号:3

起止页码:61-67

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘  要:以掺杂氧化锌(ZnO)陶瓷靶为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了掺杂ZnO系列半导体薄膜样品.利用紫外-可见分光光度计测量了薄膜的透射光谱,通过Swanepoel法确定了薄膜的折射率和消光系数,利用外推法获得了薄膜的光学带隙,研究了不同掺杂对ZnO薄膜光学性能的影响.结果表明,钛掺杂和镓镁合掺后,ZnO薄膜的透过率和光学带隙增加而折射率减小;所有薄膜的折射率均随波长增加而单调减小,呈现出正常的色散特性.

关 键 词:掺杂氧化锌  半导体薄膜 光学性能

分 类 号:TN304.21]

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同被引文献:

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