文献类型：期刊文章

作　　者：李琳[1] 李成明[2,3] 杨功寿[3] 胡西多[4] 杨少延[2,5] 苏宁[6]

LI Lin;LI Cheng-ming;YANG Gong-shou;HU Xi-duo;YANG Shao-yan;SU Ning(Hunan Institute of Information Technology,Changsha 410151,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Dongguan Institute of Opto-Electronics Peking University,Dongguan 523808,China;School of Electronic Engineering,Dongguan University of Technology,Dongguan 523808,China;Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;Shenyang Vacuum Technology Institute Co.,Ltd.,Shenyang 110042,China)

机构地区：[1]长沙(星沙)经济技术开发区毛塘工业园区湖南信息学院,湖南长沙410151 [2]中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京100083 [3]北京大学东莞光电研究院,广东东莞523808 [4]东莞理工学院电子与智能化学院,广东东莞523000 [5]材料与光电研究中心,中国科学院大学,北京100049 [6]沈阳真空技术研究所有限公司,辽宁沈阳110042

出　　处：《真空》

基　　金：国家重点研发计划(No.2017YFB0404201);国家自然科学基金项目(Nos.61774147;61504128);广东省省级科技项目;东莞市产学研合作项目;东莞市重大科技项目(项目编号:2013B090500004;2014509130207以及2014215130);广东省财政补贴项目(粤财工【2015】639号)

年　　份：2019

卷　　号：0

期　　号：1

起止页码：34-38

语　　种：中文

收录情况：CAS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：本文对三层热壁水平流金属有机化学气相沉积(MOCVD)真空反应腔的设计以及最终流场分布都进行了理论模拟。在选择优化喷管排布基础上,在衬底托盘、衬底四周底壁,以及衬底所在区域上壁临近区域范围加热,形成局部热壁外延真空反应腔体。此外,对于真空腔体设计,顶层与底层流动速度,都进行细致研究,确保在材料生长区域的壁面,反应前驱物源气体保持在稳定且无漩涡流动状态,并使反应物主要分布在衬底位置处,有效提高反应物利用率,并避免在腔壁等处发生反应,最后进行热壁MOCVD材料生长,得到厚度分布比较均匀,x射线双晶衍射的半峰全宽(FWHM)为149.8弧度秒,表明生长出质量良好的氮化镓(GaN)薄膜单晶材料。

关 键 词：金属有机化学气相沉积 反应腔体  热壁  喷管 数值模拟

分 类 号：TQ051.4]