期刊文章详细信息
镓基砷化物、氮化物量子点研究进展
Research and Development of Ga-based Arsenide and Nitride Semiconductor Quantum Dots
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]大连理工大学电气工程与应用电子技术系三束材料改性国家重点实验室,辽宁大连116024
基 金：国家自然科学基金资助项目(69976008)
年 份：2004
卷 号：23
期 号：1
起止页码：45-47
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要：综述了半导体低维结构以及镓基砷化物、氮化物材料量子点的发展,涉及了外延生长机理、量子点的形貌结构特征,并着重介绍了镓基氮化物材料量子点的制备方法、研究的现状、面临的困难、应用发展现状,并对其未来研究趋势提出了看法。
关 键 词：量子点 砷化物 氮化物 制备工艺
分 类 号：TN304.23]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
