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期刊文章详细信息

纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器  ( EI收录)  

  

文献类型:期刊文章

作  者:杨燮龙[1] 杨介信[2] 戴文恺[1] 赵振杰[1] 马学鸣[1] 俞建国[2] 丁永芝[2]

机构地区:[1]华东师范大学物理系,上海200062 [2]华泰纳米磁敏器件研究所,上海200062

出  处:《Journal of Semiconductors》

年  份:2003

卷  号:24

期  号:B05

起止页码:202-204

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发,它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点,已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业自动化控制等方面。

关 键 词:巨磁阻抗效应 磁敏传感器 纳米微晶

分 类 号:O472]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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