文献类型：期刊文章

作　　者：吴秀龙[1] 孟坚[1] 陈军宁[1] 柯导明[1] 时龙兴[2] 孙伟锋[2]

机构地区：[1]安徽大学电子工程与信息科学学院,安徽合肥230039 [2]东南大学工程技术中心,江苏南京210096

出　　处：《安徽大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家863计划资助项目:高压驱动集成技术的研究(2002AA1Z1550);安徽省自然科学基金资助项目(10142104)

年　　份：2004

卷　　号：28

期　　号：1

起止页码：49-52

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、普通刊

摘　　要：在LDMOS中加入电场控制极板是一种有效的提高其击穿电压的方法,本文分析了PDP选址驱动芯片的LDMOS场极板对其漏击穿电压的影响,指出了场极板的分压作用和场极板边缘效应对击穿电压的影响,给出击穿电压的计算公式,计算结果与实验能够吻合,说明了给出的公式是正确的。

关 键 词：场极板 LDMOS 击穿电压 PDP选址驱动芯片  晶体管

分 类 号：TN386.1]