文献类型：期刊文章

作　　者：黄美东[1] 孙超[1] 林国强[2] 董闯[2] 闻立时[1]

机构地区：[1]中国科学院金属研究所,沈阳110016 [2]大连理工大学三束实验室,大连116024

出　　处：《金属学报》

年　　份：2003

卷　　号：39

期　　号：5

起止页码：516-520

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000183358400010)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000183358400010)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用直流和脉冲偏压电弧离子镀技术沉积TiN硬质薄膜,研究了不同偏压下基体的沉积温度、薄膜的表面形貌及力学性能。结果表明,与直流偏压相比,脉冲偏压可以明显降低基体的沉积温度,大大减少薄膜表面的大颗粒污染,改善表面形貌,而薄膜的综合力学性能仍保持良好,说明利用脉冲偏压技术是实现电弧离子镀低温沉积的有效途径。

关 键 词：电弧离子镀,低温沉积,脉冲偏压,  TIN薄膜

分 类 号：TB43] TG115.22]