文献类型：期刊文章

作　　者：黄美东[1] 林国强[1] 董闯[1] 孙超[2] 闻立时[2]

机构地区：[1]大连理工大学三束实验室,大连116024 [2]中国科学院金属研究所,沈阳110016

出　　处：《金属学报》

年　　份：2003

卷　　号：39

期　　号：5

起止页码：510-515

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000183358400009)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000183358400009)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiN薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面大颗粒污染情况,并分析偏压对大颗粒的影响。结果表明,偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用。直流偏压下,等离子体鞘层基本稳定,电子对大颗粒表面充电能力很弱,而脉冲偏压下,由于鞘层厚度不断变化,大颗粒不断进出于鞘层,电子对大颗粒表面的充电能力强,使其所带负电荷明显增多,受到基体的排斥力变大,大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善。

关 键 词：偏压,电弧离子镀,  Tin薄膜,表面形貌  

分 类 号：TB43] TG115.21]